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富士通半导体推出基于018技术的全新SPIFRAMFPGACPLD万芳

发布时间:2020-02-14 12:41:19 阅读: 来源:不锈钢反应釜厂家

富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM - FPGA/CPLD - 电子工程网

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器)将SRAM 的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ~ 3.6V,读写周期为100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器,非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM产品阵容

产品型号存储器容量电源工作电压写/擦次数数据保持封装MB85RS256A256K bit3.0—3.6v-40—85100亿次10年SOP-8MB85RS128A128K bit3.0—3.6v-40—85100亿次10年SOP-8MB85RS64A64K bit3.0—3.6v-40—85100亿次10年SOP-8

FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案,同时也是一款绿色环保的产品。除 SPI FRAM家族之外,富士通半导体还提供带I sup2;C和并行口的FRAM独立芯片,密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。

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